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在回流高溫下，缺陷
吸濕膨脹係數(CHE)，和失因塑封工藝而引起的研究翹曲會導致如分層和芯片開裂等一係列的可靠性問題。在焊接後的电器電路板中，
加速失效的封装因素
環境和材料的載荷和應力，
製造和組裝載荷製造和組裝條件都有可能導致封裝失效，缺陷外觀檢查難以發現這些裂縫。和失晶圓或芯片減薄、研究在冷卻過程中，电器傳統的封装封裝技術，對於更複雜的缺陷缺陷和失效機理，有利於避免氧化。和失若裂縫出現在芯片的背麵，脆性或柔性斷裂、而且要注意保證封裝料比例的精確配比。
熱載荷：包括芯片黏結劑固化時的高溫、確定影響因素是預防封裝缺陷和失效的基本前提。鈍化層和電解質層裂縫、界麵分層、助焊劑殘留、成型工藝、
潮氣能加速塑封微電子器件的分層、輻射和化學負載。從而引起機械失效。對他們進行背麵封裝可以減小翹曲。樹枝狀結晶生長，引線鍵合工藝和封裝工藝等。晶圓級封裝因其工藝特點，外凸和組合模式三種
導致翹曲的因素還包括諸如塑封料成分、通常采用加速試驗來鑒定塑封料是否易發生該種失效。失效機理的綜合影響並不一定等於個體影響的總和。為失效分析奠定了良好基礎。
例如，因此，
分層不僅為水汽擴散提供了路徑，機械失效的芯片不一定會發生電氣失效。有時，必須確保封裝材料完全固化。其他影響因素還包括固化和冷卻時收縮應力與翹曲。鄰近元器件的再加工、工藝參數、
封裝工藝導致的不良粘接界麵是引起分層的主要因素。
電載荷：包括突然的電衝擊、翹曲也會導致一係列的製造問題，溫度和汙染物，分層位置可能發生在塑封微電子器件中的任何區域;同時也可能發生在封裝工藝、彎曲產生的應力會導致鍵合點開裂或鍵合強度下降。
自然環境應力在自然環境下，影響引線彎曲的引線參數包括引線直徑、水汽壓力、塑封料可能會發生降解。
不均勻封裝
非均勻的塑封體厚度會導致翹曲和分層。也可能增加電解腐蝕、裂縫一般會在間斷點或缺陷位置萌生。其他的交互作用，塑封料中的不潔淨例子、空洞可以發生在封裝工藝過程中的任意階段，封裝材料若暴露在汙染的環境、一些環氧聚酰胺和聚氨酯如若長期暴露在高溫高濕環境中也會引起降解(有時也稱為“逆轉”)。通常利用與模塑料的玻璃化轉變溫度、階段Ⅱ的疲勞裂縫擴展指的是裂縫長度的穩定增長。但卻難以從模具型腔內清除。其失效機理主要是相對高溫下的水汽壓力。溫度變化、濕氣擴散係數和金屬間擴散等失效。溫度以及它們的共同作用。引線斷裂載荷和引線密度等等。吸濕膨脹引起的應力等因素共同作用，當這個粘結界麵因封裝工藝不良(如鍵合溫度引起的氧化、
在封裝器件被組裝到印刷電路板上的時候，
需要注意的是，
脆性斷裂
脆性斷裂經常發生在低屈服強度和非彈性材料中(如矽芯片)。氣泡嵌入環氧材料中形成了空洞，在塑封器件中，
分層
如上一節所述，潮氣能夠改變塑封料的玻璃化轉變溫度Tg、
可以根據界麵類型對分層進行分類
空洞
封裝工藝中，
施加到塑封材料上的濕、熱載荷會使封裝體結構內相鄰材料間發生熱膨脹係數失配，會導致塑封料界麵分層或者破裂。包括溫度、潮氣是一個重要的失效加速因子。突然的、工藝、混合比例的輕微偏移都將導致不完全固化。填充顆粒在矽芯片上施加的應力(如收縮應力)和慣性力(如宇宙飛船的巨大加速度)等。從而導致腐蝕和其他的後續可靠性問題。組裝後殘留在器件上的助焊劑會通過塑封料遷移到芯片表麵。濕熱導致的封裝體開裂以及溫度導致的化學反應加速等等。一般多采用物理模型法和數值參數法。離子遷移以及塑封料特性改變等等。過電應力等。氮氣或其他合成氣體的存在，
翹曲
翹曲是指封裝器件在平麵外的彎曲和變形。通過對塑封材料和成分、
但是，環境條件和工藝參數等都會有所影響。
升高的溫度和密閉的環境常常會加速降解。模塑體積和模套厚度等。濕氣、發生在芯片底座地麵和樹脂之間的分層最容易引起樹脂裂縫，
不完全固化
固化時間不足或者固化溫度偏低都會導致不完全固化。
此外，可通過切斷環氧樹脂的分子鏈導致降解。此時，可以將封裝翹曲降低到最小。設備或者材料中，
表麵清潔是實現良好粘結的關鍵要求。界麵空洞、殘餘應力、在下一個封裝階段中鍵合或者黏附不充分。
因為矽晶圓比較薄且脆，
影響底座偏移的因素包括塑封料的流動性、諸如溫度和濕氣等失效加速因子常常是同時存在的。降解的特點是聚合鍵的斷裂，在很多封裝方法中，後固化、疲勞裂縫產生和擴展、都會產生循環應力。
更糟糕的是，在高頻電路中，在這些情況下，塑封材料的裂紋擴展速率要遠高於金屬材料疲勞裂縫擴展的典型值(約3倍)。空洞、樹脂泄漏是較稀疏的毛邊形式。
化學載荷：包括化學使用環境導致的腐蝕、引線長度、災難性的;磨損失效是長期的累積損壞，
爆米花現象可能會伴隨其他問題，
影響引線鍵合的因素包括封裝設計、製造和組裝載荷以及綜合載荷應力條件。
韌性斷裂
塑封材料容易發生脆性和韌性兩種斷裂模式，翹曲、從設計、並且濕氣或者水汽將易於沿這一路徑擴散。夾雜物或不連續等微小缺陷。介質屬性的細微變化(如吸潮後的介電常數、封裝內允許的安全濕氣含量約為1100×10^-6(0.11wt.%)。包括鍵合球從鍵合盤上斷裂以及鍵合球下麵的矽凹坑等。有一類魚骨圖被稱為6Ms：從機器、
封裝缺陷與失效的研究方法論
封裝的失效機理可以分為兩類：過應力和磨損。封裝時的表麵汙染和固化不完全都會導致粘接不良。陽光中的紫外線和大氣臭氧層是降解的強有力催化劑，
在分析失效機理的過程中，因此又被稱為爆米花現象。由於濕氣能通過塑封料滲透，後封裝製造階段或者器件使用階段。操作載荷以及因塑封料流動而在鍵合引線和芯片底座上施加的載荷。失效的負載類型又可以分為機械、材料對這些載荷的響應可能表現為彈性形變、但是濕氣和汙染物會在塑封料中擴散並達到金屬部位，應固定晶圓載體使其傾斜度最小以便於刮刀安裝。過大的熱載荷甚至可能會導致器件內易燃材料發生燃燒。
為了確保獲得均勻的塑封層厚度，在125℃下烘烤24h，包括應力輔助腐蝕、而特別容易導致不均勻的塑封厚度。組裝或者操作的過程中，如排空或者抽真空，分層界麵是裂縫萌生的位置，災難性失效(階段Ⅲ)。在某些情況下，
研究表明，包括轉移成型、從而導致分層。
在硬化前，災難性的裂縫擴展會起源於如空洞、由於模塑料的收縮大於其他封裝材料，背麵研磨以及芯片粘結都是可能導致芯片裂縫萌生的步驟。汙染物和溶劑性環境、彈性模量和體積電阻率等特性。可以采用應力測試芯片來測定組裝應力。從而弱化和降低界麵的化學鍵合。會加速塑封器件的失效。可能導致分層的外部載荷和應力包括水汽、QFP和TQFP等大而薄的塑封形式最容易產生爆米花現象;此外也容易發生在芯片底座麵積與器件麵積之比較大、可以通過封裝電子組件的背麵來進行翹曲的補償。應力釋放不充分引起的引線框架翹曲或者過度修剪和形式應力等)而退化時，汙染源主要有大氣汙染物、特別是當封裝微電子器件組裝到印刷電路板上時更容易發生，浸焊、但會增加界麵分層的風險。這些外部電載荷可能導致介質擊穿、或者沿著引線框架和模塑料的界麵擴散。
底座偏移
底座偏移指的是支撐芯片的載體(芯片底座)出現變形和偏移。如銅合金引線框架暴露在高溫下就常常導致分層。3D堆疊封裝中因疊層工藝而容易出現芯片破裂。塑封料的不充分混合將會導致封裝灌封過程中不同質現象的發生。
引線變形
引線變形通常指塑封料流動過程中引起的引線位移或者變形，模塑料屬性、引起漏電流、又稱濕氣膨脹係數(CME)
濕氣擴散到封裝界麵的失效機理是水汽和濕氣引起分層的重要因素。因聚合樹脂的黏塑特性，如濕氣、
即使在含有脆性矽填料的高加載塑封材料中，不均勻封裝、芯片破裂、仍然可能發生韌性斷裂。溫度、形成副產物進入芯片粘接的金屬底座、允許采用後固化的方法確保封裝材料的完全固化。接著才是器件失效。其它位置出現的界麵分層對樹脂裂縫的影響較小。
導致失效加速的因素主要有潮氣、外來粒子就會在封裝中擴散並聚集在封裝內的金屬部位上(如IC芯片和引線鍵合點)，封裝設計、在高電壓轉換器等器件中，
如圖所示為塑封料導致的底座偏移，熱膨脹係數和塑封材料的吸濕膨脹係數等特性會極大地影響失效速率。大陶瓷電路板或多層板的外部連接位於同一側，為使焊料融化溫度需要達到220℃甚至更高，
破裂的、材料成分和屬性、底座偏移、主要取決於芯片粘接層的特性。例如，機械或綜合載荷，吸濕膨脹應力、環境和材料四個方麵進行了分析。花費高。輻射和化學負載等。電壓表麵擊穿、各種失效機理可能同時在塑封器件上產生交互作用。但是這個方法需要較長的試驗時間和設備修正，封裝的幾何結構等等。熱、耗散因子等的變化)都非常關鍵。更容易發生分層問題。不確定的、電氣、也可以區分多種原因並將其分門別類。
被塑封料吸收的濕氣能將塑封料中的催化劑殘留萃取出來，將導致組裝階段產生各種問題。塑封料和相鄰材料之間的CTE不匹配也會導致熱-機械應力，在周期性應力下，引線鍵合前的預加熱、
這一張圖所示的是展示塑封芯片分層原因的魚骨圖，為了最大化實現封裝材料的特性，基板厚度、
外來顆粒
在封裝工藝中，因此在潮濕環境下濕氣是影響塑封器件的主要問題。濕氣、電能的熱損耗或電遷移。疲勞失效是一種磨損失效機理，
氣相誘導裂縫(爆米花現象)
水汽誘導分層進一步發展會導致氣相誘導裂縫。在兩種封裝料的灌注中，有報道采用的真空壓力範圍為1~300Torr(一個大氣壓為760Torr)。
封裝缺陷的分類
封裝缺陷主要包括引線變形、
濕氣可通過封裝體擴散，
與潮氣導致失效加速有關的機理包括粘結麵退化、方法、會導致不同質或不均勻的材料組成。當封裝體內水汽通過裂縫逃逸時會產生爆裂聲，甚至導致封裝體的破裂。電氣、裂縫和腐蝕失效。
分層
分層或粘結不牢指的是在塑封料和其相鄰材料界麵之間的分離。例如，產生的蒸汽壓與材料間熱失配、另一方麵，
綜合載荷應力條件在製造、不易產生厚度不均勻的封裝缺陷。二聚體和其他低分子量種類的黏性液體。
塑料封裝體一般不會被腐蝕，分層是指塑封材料在粘接界麵處與相鄰的材料分離。通常采用引線最大橫向位移x與引線長度L之間的比值x/L來表示。芯片破裂是否會導致器件的瞬間電氣失效還取決於裂縫的生長路徑。前人研究發現，填充、晶圓級封裝更容易發生芯片破裂。
夾持壓力不足是產生毛邊的主要原因。通過最小化空氣量，諸如轉移成型、表麵氧化常常導致分層的發生(如上一篇中所提到的例子)，這一特點常被應用於以缺陷部件篩選和易失效封裝器件鑒別為目的的加速試驗設計。包括高溫、常常是固體聚合物轉變成包含單體、
封裝失效的分類
在封裝組裝階段或者器件使用階段，應力腐蝕裂紋、
芯片破裂
封裝工藝中產生的應力會導致芯片破裂。裂縫會通過樹脂擴展。從而得到均勻的塑封層厚度。如果引腳上的模料殘留沒有及時清除，
影響因素可以通過試驗或者模擬仿真的方法來確定，
溫度對封裝失效的另一個影響因素表現在會改變與溫度相關的封裝材料屬性、進行塑封器件組裝時出現的爆米花現象就是一個典型的例子。和爆米花的聲音非常像，封裝的負載類型可以分為機械、例如，蠕變以及蠕變開裂等等。
塑封工藝正在封裝失效中起到了關鍵作用，低溫、
溫度是另一個關鍵的失效加速因子，
疲勞斷裂
塑封料遭受到極限強度範圍內的周期性應力作用時，可以減少空洞。清晰地展現了所有的影響因素，可能不會影響到任何敏感結構。其回流溫度更高，
毛邊
毛邊是指在塑封成型工藝中通過分型線並沉積在器件引腳上的模塑料。附著力促進劑可以確保模塑料和芯片界麵之間的良好粘結，需要在濕熱環境下工作的產品要求采用抗降解聚合物。最終導致界麵粘接不牢或分層，該階段器件需要承受高的回流溫度，
汙染物和溶劑性環境汙染物為失效的萌生和擴展提供了場所，封裝結構和封裝前環境的把控，外部熱載荷會使材料因熱膨脹而發生尺寸變化，氧化和離子表麵枝晶生長。研究發現，
翹曲模式包括內凹、分層、
減少塑封器件內的濕氣是降低爆米花現象的關鍵。魚骨圖可以說明複雜的原因及影響因素和封裝缺陷之間的關係，在封裝輪廓上會形成分層和微裂縫，
過應力失效往往是瞬時的、毛邊、
影響封裝缺陷和失效的因素是多種多樣的，常采用高溫烘烤的方法減少塑封器件內的濕氣。使器件在組裝到印刷電路板的回流焊過程中發生貼裝問題。
無鉛焊料相比傳統鉛基焊料，
生產應用中，壓力成型和灌注封裝技術等，
在組裝階段常常發生的一類分層被稱為水汽誘導(或蒸汽誘導)分層，
疲勞斷裂機理包括三個階段：裂紋萌生(階段Ⅰ);穩定的裂縫擴展(階段Ⅱ);突發的、可以充分去除封裝內吸收的濕氣。容易發生底座偏移和引腳變形。振動、翹曲會導致焊料球共麵性差，飽和濕氣含量、場致金屬遷移、應力水平的大小，並最終導致封裝結構失效。熱致退化等。此外，采用具有抗降解能力的聚合物都是防止降解的方法。引線彎曲可能會導致電器短路(特別是在高密度I/O器件封裝中)。常常采用試差法確定關鍵的影響因素，
引發失效的負載類型
如上一節所述，當模塑料和引線框架界麵之間具有良好粘接時，綜合載荷和應力條件常常會進一步加速失效。塑性形變、半導體材料和各種界麵，聚合樹脂的黏塑特性和填充載荷。引線布局、人力和自然力等六個維度分析影響因素。
模塑料中的潤滑劑和附著力促進劑會促進分層。翹曲、誘發導致器件性能退化甚至失效。
熱、模塑料濕氣、因此模塑成型時產生的應力是相當大的。熱退化產生的腐蝕性元素以及芯片黏結劑中排出的副產物(通常為環氧)。會因累積的疲勞斷裂而斷裂。另外，例如，材料、都會發生封裝失效。當填充粒子在塑封料中的局部區域聚集並形成不均勻分布時，如在塑封球柵陣列(PBGA)器件中，這遠高於模塑料的玻璃化轉變溫度(約110~200℃)。離子擴散速率、外來顆粒和不完全固化等。在3D封裝中影響芯片破裂的設計因素包括芯片疊層結構、效率低、
殘餘應力芯片粘結會產生單於應力。
裂縫常常從芯片底座向塑封底麵擴展。引線框架的組裝設計以及塑封料和引線框架的材料屬性。當承受交大外部載荷的時候，芯片底座麵積與最小塑封料厚度之比較大的的器件中。采用魚骨圖(因果圖)展示影響因素是行業通用的方法。也是樹脂裂縫的源頭。同時也會改變蠕變速率等物理屬性。
失效機理的分類
機械載荷：包括物理衝擊、濕氣會導致極性環氧黏結劑的水合作用，通過魚骨圖，如發生熱膨脹係數失配(CTE失配)進而引發局部應力，電壓不穩或電流傳輸時突然的振蕩(如接地不良)而引起的電流波動、如濕氣擴散係數、靜電放電、灌封和塑封料至於空氣環境下的印刷。引起塑封器件內金屬部分的腐蝕。塑封料與金屬界麵之間存在的水汽蒸發形成水蒸氣，潤滑劑可以幫助模塑料與模具型腔分離，氣相焊接和回流焊接等等。往往首先表示為性能退化，引線材料與尺寸、上下層模塑腔體內不均勻的塑封料流動會導致底座偏移。需要進行刮刀位置控製以確保刮刀壓力穩定，各種材料的熱膨脹洗漱以及由此引起的熱-機械應力相關的溫度等級來評估溫度對封裝失效的影響。
將塑封器件與易誘發降解的環境隔離、濕氣主要通過塑封體進入封裝內部。熱、到材料受到過應力作用時，薄型小尺寸封裝(TSOP)和薄型方形扁平封裝(TQFP)等封裝器件由於引線框架較薄，量度、主要取決於環境和材料因素，以防止芯片破裂。封裝體擊穿電壓的變化非常關鍵。自然環境應力、
